特許

J-GLOBAL ID：200903066852161287

基板の低エネルギー電子促進エッチング及びクリーニング方法及び装置

発明者： マーティン、 ケヴィン ピー. ,  ギリス、 ハリー ピー. ,  ショートフ、 ドミトリ エイ.
出願人/特許権者： ジョージア テック リサーチ コーポレイション
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-266414
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111378
出願日： 2008年10月15日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】基板をac又はdcプラズマ反応装置のいずれかによって発生されたプラズマ放電の陽光柱内に配置された機械的支持部上への取り付けステップを含んだ基板の低損傷、異方性エッチング及びクリーニングの方法を提供する。【解決手段】この機械的支持部12はプラズマ反応装置とは独立し、電気的にバイアスされる。基板は低エネルギー電子のプラズマの陽光柱15、すなわち、電気的中性部及び、基板と反応する種に曝される。電気的にバイアス可能な付加構造14がプラズマ内に配置され、プラズマからの粒子のさらなる抽出又は抑制を調整する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマ反応装置によって発生されたプラズマの陽光柱の機械的支持部上に基板を載置するステップと、 約100eV未満の運動エネルギーの低エネルギー電子、及び前記基板と反応する少なくとも一つの反応種を有する前記プラズマの陽光柱内に前記基板を曝すステップと、 冷陰極で電子を発生させるステップ とを含むことを特徴とする基板を低損傷異方性ドライエッチング又はクリーニングする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L21/302 101B ,  H01L21/30 572A ,  C23F4/00 A ,  H05H1/24 ,  H05H1/46 A

Fターム (16件)：

4K057DA01 ,  4K057DA12 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DM03 ,  5F004AA06 ,  5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004CA03 ,  5F046MA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-331925   出願人：ソニー株式会社