プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331925
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167596
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】プラズマの遮蔽をより効率よく行うことができ、プラズマ損傷の発生を一層効果的に抑制できるプラズマ処理装置を提供する。【構成】プラズマを生成するプラズマ生成室10と、プラズマ処理すべき被処理物50を配置するプラズマ処理室20とを備えたプラズマ処理装置には、プラズマ生成室10とプラズマ処理室20との間に少なくとも1枚のプラズマ分離用のメッシュプレート40が配設されており、メッシュプレート40には複数の開口部43が設けられており、開口部の径はプラズマのデバイ長の2倍以下である。あるいは又、メッシュプレートに0ボルト<V<SB>0</SB>≦30ボルトの電圧V<SB>0</SB>を印加し得る。

請求項（抜粋）：

プラズマを生成するプラズマ生成室と、プラズマ処理すべき被処理物を配置するプラズマ処理室とを備えたプラズマ処理装置であって、プラズマ生成室とプラズマ処理室との間に少なくとも1枚のプラズマ分離用のメッシュプレートが配設されており、該メッシュプレートには複数の開口部が設けられており、該開口部の径はプラズマのデバイ長の2倍以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (11件)

特開平2-071516
特開昭56-076242
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-214691 出願人：日電アネルバ株式会社

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審査官引用 (11件)

特開平4-225226
特開平2-071516
特開昭56-076242

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