特許

J-GLOBAL ID：200903066862521559

層間絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 米田 克己
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-030657
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223195
出願日： 2004年02月06日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】 比誘電率が低く、機械的特性にも優れた層間絶縁膜の形成方法、および、これを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 下層配線1上に形成された拡散防止膜2の上に、空孔形成材を含み低誘電率材料からなる第1の絶縁膜を形成する。次に、第1の絶縁膜にプラズマ処理を施して空孔形成材を除去し、第1の絶縁膜を第1の多孔質絶縁膜23にする。この絶縁膜を形成する工程およびプラズマ処理する工程を繰り返して行うことにより、第1の多孔質絶縁膜23の上に、第2の多孔質絶縁膜26および第3の多孔質絶縁膜30を積層する。これにより、所定の膜厚を有する層間絶縁膜3を形成することができる。【選択図】 図16

請求項（抜粋）：

半導体基材上に、空孔形成材を含み低誘電率材料からなる絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜をプラズマ処理して前記空孔形成材を除去し、前記絶縁膜を多孔質絶縁膜にする工程と、 前記絶縁膜を形成する工程および前記プラズマ処理する工程を繰り返して行うことにより、前記多孔質絶縁膜の上に1以上の他の多孔質絶縁膜を積層して所定の膜厚の層間絶縁膜にする工程とを有することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  H01L21/316

FI (2件)：

H01L21/90 P ,  H01L21/316 M

Fターム (55件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT03 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG07 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機系絶縁膜のエッチング方法およびデュアルダマシンプロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-065459   出願人：東京エレクトロン株式会社