特許

J-GLOBAL ID：200903096921631181

有機系絶縁膜のエッチング方法およびデュアルダマシンプロセス

発明者： 五十嵐 義樹 ,  末正 智希 ,  稲沢 剛一郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-065459
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270586
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 SiOC系低誘電率膜と窒化珪素膜との選択比を向上させるとともに、エッチング時のマイクロトレンチを低減する。【解決手段】 C4F8/Ar/N2系混合ガスを用いてSiOC系低誘電率膜をエッチングする場合、Arの流量比を80%以上とする。

請求項（抜粋）：

エッチングガスが、フルオロカーボン系ガスと、N2ガスと、流量比が総エッチングガス流量の80%以上の不活性ガスとを含む混合ガスであることを特徴とする有機系絶縁膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 A

Fターム (39件)：

5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004EB01 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS21 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX04 ,  5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 選択的プラズマエッチングのための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-508137   出願人：ラムリサーチコーポレーション
• 半導体装置のドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245656   出願人：沖電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Highly Selective Etching of Organic SOG to SiN for Cu Damascene Interconnects Using New Gas Chemistr