特許

J-GLOBAL ID：200903066864836352

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、及び半導体装置

発明者： 長嶺 真 ,  伊藤 仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068916
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145131
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 高絶縁破壊耐性のシリコン酸化膜を低温で形成できる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置並びにこれらによって製造された半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、550°Cを越える温度において酸素活性種を含む雰囲気で半導体層の表面を酸化して酸化膜を形成する工程を備えた。また、他の半導体装置の製造方法は、酸素活性種を含む雰囲気で半導体の表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を除去して前記半導体の表面を露出させる工程とを備えた。更に他の半導体装置の製造方法は、励起状態が一重項状態の酸素原子ラジカルを主成分とする酸化源ガスをシリコン層に供給し、その表面を酸化してシリコン酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

550°Cを越える温度において酸素活性種を含む雰囲気で半導体層の表面を酸化して酸化膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 21/316 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-042927
  
• シリコン酸化膜の製造方法と製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-053023   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-232411   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-232409   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所