特許

J-GLOBAL ID：200903066872546770

多結晶シリコン膜の形成方法、およびそのための組成物

発明者： 松木 安生 ,  横山 泰明 ,  志保 浩司 ,  加藤 仁史
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240156
公開番号（公開出願番号）：特開2003-054931
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】【課題】 簡易な操作や装置で基板上に多結晶シリコン膜を形成する方法、およびそのための組成物を提供すること。【解決手段】 組成物は、特定のニッケル化合物を含有する。多結晶シリコン膜は上記組成物を用いて形成される。

請求項（抜粋）：

下記式(1)〜(3)のうちから選ばれる少なくとも1種の化合物、Ni(CO)4 ...(1)Ni(CO)3(SiF3)2 ...(2)Ni(CO)(PF3)3 ...(3)および溶媒を含有することを特徴とする、アモルファスシリコンの多結晶化に用いるための組成物。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  C09D 1/00 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C01B 33/02 E ,  C09D 1/00 ,  H01L 31/04 X

Fターム (16件)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH33 ,  4G072JJ34 ,  4G072NN01 ,  4G072UU02 ,  4J038AA011 ,  4J038HA131 ,  4J038PB09 ,  5F051AA03 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-352963   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 結晶性半導体作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307444   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-352963   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 結晶性半導体作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307444   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所