特許
J-GLOBAL ID:200903066889272631

正特性サーミスタ素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-354494
公開番号(公開出願番号):特開2007-158221
出願日: 2005年12月08日
公開日(公表日): 2007年06月21日
要約:
【課題】正特性サーミスタ素子の磁器表面と下地電極面との接着強度を向上させ、リード線との密着強度を高めることにより、安全性が高く、信頼性に優れた正特性サーミスタ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】サーミスタ特性を有する磁器表面をバレルまたは砥石により粗く粗面化した面に、化学エッチングにより微細な粗面化を施し、電極形成することを特徴とし、上記の磁器表面の粗面化度合いとしての凹部の平均深さが3〜15μmの範囲で、磁器表面の粗面化部分の占有率が全表面積の30〜100%であり、上記の化学エッチングに、フッ化水素酸、硝酸、塩酸、過酸化水素水の少なくとも1種を含む水溶液を用いることを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
サーミスタ特性を有する磁器表面に機械的な粗い粗面化面と、化学エッチングによる微細な粗面化面とを形成したことを特徴とする正特性サーミスタ素子。
IPC (1件):
H01C 7/02
FI (1件):
H01C7/02
Fターム (5件):
5E034AA07 ,  5E034AA08 ,  5E034AB01 ,  5E034AC02 ,  5E034DA03
引用特許:
出願人引用 (2件)

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