特許
J-GLOBAL ID:200903066889403809

ステップアンドリピート露光方法及びそのマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三浦 邦夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-090261
公開番号(公開出願番号):特開平7-295231
出願日: 1994年04月27日
公開日(公表日): 1995年11月10日
要約:
【要約】【目的】 本パターンを感光体上に繰り返し露光して、感光体上に多数の基本パターンの像を形成するステップアンドリピート露光方法において、リピート露光に伴うレチクルパターンの境界線の継ぎ目が目立たない大面積のマスクが得られる露光方法を得ること。【構成】 基本パターンを、露光光束を透過しない複数の要素図形と、露光光束を透過させる地部と、該地部を囲む露光光束を透過しない周辺部とから構成し、かつ、繰り返し露光の際に相重なる、この基本パターンの仮想境界線を、周辺部と地部の実境界線の内側に設定して、ステップ露光の境界部に二重露光領域が形成されるようにしたステップアンドリピート露光方法。
請求項(抜粋):
小面積の基本パターンを大面積の感光体上に繰り返し露光して、感光体上に多数の基本パターンの像を形成するステップアンドリピート露光方法において、上記基本パターンは、露光光束を透過しない複数の要素図形と、露光光束を透過させる地部と、該地部を囲む露光光束を透過しない周辺部とからなっていること、上記基本パターンの要素図形のうち、地部と周辺部の実境界線に掛かる要素図形は、繰り返し露光の際に相重なる仮想境界線に対して同一の相対位置に配置されていること、及び、上記基本パターンの地部のステップ露光方向の幅をWb、上記仮想境界線間の距離によって規定される露光側でのステップ幅をws、上記基本パターンを露光する際の投影倍率をmとしたとき、Wb・|m|>wsであること、を特徴とするステップアンドリピート露光方法。
IPC (2件):
G03F 7/22 ,  G02B 5/02
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-312636
  • 特開昭59-208536
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-199274   出願人:キヤノン株式会社

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