特許
J-GLOBAL ID：200903066904550279
酸化物超電導導体
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-214806
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120719
出願日： 1996年08月14日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：
【要約】【課題】 多結晶中間薄膜の形成時の圧縮応力によって基材に反りが生じることなく、基材の長さ方向に対する超電導特性が安定した酸化物超電導層が形成されるという特性と、厚さの薄いテープ状の基材が用いられていても、酸化物超電導層の蒸着時の高温雰囲気によって上記基材に歪みが生じることが少なく、オーバーオールあたりの臨界電流密度が向上するという特性のうち少なくとも一方の特性を備えた酸化物超電導導体の提供。【解決手段】 テープ状の基材21の上面上に多数の結晶粒が結合されてなる配向制御多結晶中間薄膜22が形成され、上記基材21の下面上に多結晶速成中間薄膜23が形成され、上記配向制御多結晶中間薄膜22の上面に酸化物超電導層24が形成されてなる酸化物超電導導体20。
請求項（抜粋）：
テープ状の基材と、この基材の一方の面上に形成されて多数の結晶粒が結合されてなる配向制御多結晶中間薄膜と、上記基材の他方の面上に形成された多結晶速成中間薄膜と、前記配向制御多結晶中間薄膜上に形成された酸化物超電導層を具備してなることを特徴とする酸化物超電導導体。
IPC (8件)：
H01B 12/06 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 3/00
, C04B 35/00 ZAA
, C30B 29/22 501
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24
, H01L 39/24 ZAA
H01B 12/06 ZAA
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00
, C30B 29/22 501 K
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/24 Z
, H01L 39/24 ZAA B
, C04B 35/00 ZAA
