特許

J-GLOBAL ID：200903066943944195

半導体集積回路の信頼性評価方法および評価装置

発明者： 浦岡 行治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190457
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037160
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 ウェハーの状態でスクリーニングや破壊試験等の信頼性試験を実施できるようにし、実装に費やすコストや時間を削減する。【構成】 LSIテスター2のウェハーステージに載置されたウェハー3に、パターン発生器4の出力に応じて電源6からの電圧をテスターヘッド5から印加するとともに、LSIテスター2に付加した熱源7によってウェハー3を加熱してウェハー3の劣化を促進しながら信頼性試験を行い、不良チップを検出する。

請求項（抜粋）：

ウェハーをダイシングする前に、電圧の印加,加熱,光照射のうちの少なくとも一つの劣化促進処理をウェハーに施してスクリーニングまたは破壊試験を行うことを特徴とする半導体集積回路の信頼性評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-100471
  
• 特開平3-139842
  
• 特開平4-177740