特許
J-GLOBAL ID：200903066945587705
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-336626
公開番号（公開出願番号）：特開2004-007016
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【目的】 ウエハ状態で形成された複数の半導体素子を個片に分割する際に、容易にかつ確実に分割することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 ウエハ10のチップ領域上に突起電極4を形成し、これらチップ領域の境界領域に溝6を形成し、溝6の形成されたウエハ10の表面を樹脂で覆った後に、ウエハ10の裏面を研磨し、この裏面から溝を露出させる。その後、溝の露出している境界領域でウエハを分割する。 【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
表面に複数の電極を有する半導体チップと、
各々が前記表面上に形成され、一端が前記電極の対応するものと接続される複数の配線と、
各々が前記複数の配線の対応するものの他端と接続された複数の突起電極と、
前記複数の突起電極の表面と前記半導体チップの側面及び裏面が露出するように、前記半導体チップの表面を封止する封止樹脂と、
を有し、前記封止樹脂の側面は前記半導体チップの側面より外側に突出して配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L21/92 603A
