特許
J-GLOBAL ID：200903066947929328
集積回路の端子構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294593
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 パッド周縁部の下方の絶縁膜表面に環状にパターン形成された環状形成物により、バンプの上面周縁部により高い環状の凸部を形成する集積回路の端子構造の提供を目的とする。【解決手段】 バンプ50の周縁部に位置する半導体基板10上の絶縁膜11の表面に、環状の環状形成物20を形成し、その上面にパッド30及びパッシベージョン膜40を順次形成し、バンプ50の中央部を半導体基板10/絶縁膜11/パッド30の積層上に形成し、バンプ50の周縁部を半導体基板10/絶縁膜11/環状形成物20/パッド30/パッシベージョン膜40の積層上にメッキ法により形成することにより、環状凸部を形成することにより、ウエハーテストにおけるニードルの滑りによるコンタクト不良を低減することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜の表面に形成されたパッド上面に、バンプを有する集積回路の端子構造において、前記パッドの上面または下面の少なくとも一方に形成され、前記バンプの上面外形より大きな外周平面形状を有しかつこのバンプの上面外形より小さな内周平面形状を有する環状形成物からなる層を具備し、前記バンプの上面周縁部を、前記環状形成物の厚さ分高く形成したことを特徴とする集積回路の端子構造。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/92 602 J
, H01L 21/66 E
, H01L 21/92 602 G
4M106AA01
, 4M106AD09
, 4M106BA01
, 4M106DD03
