半導体装置のパッド電極構造及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077658
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270426
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【解決手段】半導体装置の多層配線構造を有するパッド電極構造に関し、導電性配線膜間における層間絶縁膜の接続孔側壁部にR形状のタングステンによる側壁膜を形成する。このパッド電極は、半導体基板100、第1導電性配線膜102、この両者の電気的絶縁を保つ為のシリコン酸化膜101、第1導電性配線膜102と周辺回路との電気的絶縁を保つ為の層間絶縁膜103、第2導電性配線膜104、パッド電極を外界から保護する表面回路保護膜105から構成される。層間絶縁膜103の開孔面積の1片が10μm以上の大きさになるような大面積領域でのエッチバックを行なうと、層間絶縁膜103の開孔側壁部にR形状のタングステンからなるサイドウォール106が形成される。【効果】導電性配線膜のスパッタ時の付きまわりを改善することができる。また水分などの不純物浸入による層間絶縁膜の絶縁性低下が防止できる。

請求項（抜粋）：

第1導電性配線膜と第2導電性配線膜間を電気的に接続する為に開孔された層間絶縁膜の接続孔側壁部にサイドウォールが形成されていることを特徴とする半導体装置のパッド電極構造。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/60 301 , H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 21/88 T , H01L 21/60 301 P , H01L 21/92 602 J , H01L 21/92 604 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-291873 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-136486 出願人：日本電気株式会社
特開平2-156640

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