電子デバイスおよび組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝 , 高村雅晴
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-528723
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503664
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

メソ孔質シリカ層を含む電子デバイスは、アルコキシシラン、界面活性剤および溶剤を含んでなる組成物を基材上に塗布し、続いて界面活性剤および溶剤を除去することにより得られる。組成物が、テトラ-アルコキシシラン、特にテトラエトキシオルトシリケート(TEOS)、およびアルキル置換されたアルコキシシラン、特にフェニル置換された、メチル置換された、またはエチル置換されたトリアルコキシシラン、の混合物を含む場合、通常の脱ヒドロキシル化処理は不要である。両方のシランがモル比約1:1で存在する場合、誘電率が2.5以下である層が得られる。

請求項（抜粋）：

シリカを含むメソ孔質層を片側に備えた基材を含んでなる電子デバイスであって、前記層が、テトラ-アルコキシシラン、アリール置換された、またはアルキル置換されたアルコキシシラン、界面活性剤および溶剤を含んでなる組成物(前記組成物中、前記テトラ-アルコキシシランと、前記アリール置換された、またはアルキル置換されたアルコキシシランのモル比が3:1以下である)の液体層を基材上に塗布すること、および前記界面活性剤および前記溶剤を前記液体層から除去し、それによって疎水性のメソ孔質層を形成することにより得られる、電子デバイス。

IPC (3件)：

H01L21/316 , C01B37/00 , G02B5/28

FI (3件)：

H01L21/316 H , C01B37/00 , G02B5/28

Fターム (30件)：

2H048GA05 , 2H048GA12 , 2H048GA33 , 2H048GA51 , 2H048GA60 , 2H048GA61 , 4G073BA02 , 4G073BA81 , 4G073BA82 , 4G073BB24 , 4G073BB48 , 4G073BB57 , 4G073BB58 , 4G073BD11 , 4G073BD18 , 4G073CZ53 , 4G073FB42 , 4G073FD24 , 4G073GA15 , 4G073GA28 , 4G073UB11 , 4G073UB12 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用文献：

審査官引用 (1件)

The Effect of TEOS/MTES Ratio on the Structural and Dielectric Properties of Porous Silica Films

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