枚葉式エピタキシャル成長装置及びそのクリーニング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128615
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329975
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】オーバエッチングすることなく反応容器の内面に堆積したポリシリコン又はその副生成物を有効にエッチング除去する。【解決手段】枚葉式エピタキシャル成長装置は一端にガスの供給部11aが設けられ他端にガスの排出部11bが設けられガスの流路に単一の被処理基板12を水平に配置する支持板13が設けられた反応容器11を有する。ガスの供給部11aとは別にエッチングガス専用のガス補助供給部21がガスの流路の両側にエッチングガスを流すように反応容器11に設けられる。被処理基板12を反応容器11から取出した後、ガスの供給部11a及びガス補助供給部21からエッチングガスをそれぞれ供給する。その後、ガスの供給部11aからエッチングガスに代わって水素ガス又は不活性ガスを供給し、ガス補助供給部から引続きエッチングガスを供給する。

請求項（抜粋）：

一端にガスの供給部(11a)が設けられ他端に前記ガスの排出部(11b)が設けられ前記ガスの流路に単一の被処理基板(12)を水平に配置する支持板(13)が設けられた反応容器(11)を有する枚葉式エピタキシャル成長装置において、前記ガスの供給部(11a)とは別にエッチングガス専用のガス補助供給部(21)が前記反応容器(11)に設けられたことを特徴とする枚葉式エピタキシャル成長装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

気相成長方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-187610 出願人：日本酸素株式会社

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