特許
J-GLOBAL ID：200903066972359269
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148015
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335480
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】ゲート電極に不純物をイオン注入するCMOSトランジスタにおいて、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタの各々を、ゲート電極の空乏化を防ぎつつ最適なトランジスタ特性で形成する。【解決手段】NMOSトランジスタのN+ ゲート電極10の厚さd1を、PMOSトランジスタのP+ ゲート電極12の厚さd2より薄く設定する。
請求項（抜粋）：
NMOSトランジスタとPMOSトランジスタとを有する半導体装置において、前記NMOSトランジスタのゲート電極と前記PMOSトランジスタのゲート電極との厚さが異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
