特許

J-GLOBAL ID：200903066981776476

半導体装置とその製造方法

発明者： 林 裕美 ,  臼井 孝公
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-281683
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095897
出願日： 2005年09月28日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】外部からの力に強く、酸化及び結露などによる劣化が起こりにくく、少ない消費電力で対象物を冷却する冷却素子または対象物から発生する熱を用いて発電を行う発電素子として働く熱電素子を含む半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11上には絶縁膜12が形成され、絶縁膜12上には下部電極13が形成されている。第1下部電極13上にはN型熱電材料15Bが形成されている。第2下部電極13上にはP型熱電材料15AとN型熱電材料15Bが形成されている。第1下部電極13上のN型熱電材料15B上、及び第2下部電極13上のP型熱電材料15A上には第1上部電極16が形成され、第2下部電極13上のN型熱電材料15B上には第2上部電極16が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に離隔して形成された第1、第2下部電極と、 前記1下部電極上に形成された第1導電型の半導体材料からなる第1熱電材料と、 前記2下部電極上に形成された第2導電型の半導体材料からなる第2熱電材料と、 前記2下部電極上に前記第2熱電材料と離隔して形成された第1導電型の半導体材料からなる第3熱電材料と、 前記第1熱電材料上及び前記第2熱電材料上に形成された第1上部電極と、 前記第3熱電材料上に前記第1上部電極と離隔して形成された第2上部電極と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

H01L35/32 A ,  H01L35/30 ,  H01L35/34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体基板、半導体装置の製造方法およびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-352131   出願人：株式会社安川電機