特許

J-GLOBAL ID：200903069698106684

半導体基板、半導体装置の製造方法およびその駆動方法

発明者： 石田 雄二 ,  林 賛恵光 ,  佐々木 亮 ,  カビル ムハマド エナムル
出願人/特許権者： 株式会社安川電機
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-352131
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243731
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】一つの半導体基板に異なるデバイス構造を有した回路を作り、半導体装置を製造する時に、各デバイス構造に適応した温度管理を行い、各回路に最適な製造プロセスで製造可能な半導体基板及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一つの半導体基板にMOSFET21と不揮発性メモリ22を同時に製造するために、半導体基板を局所的に温度制御する。MOSFET21直下に配置したゼーベック素子24で温度を監視し、監視した温度計測値をフィードバック制御して、MOSFET21近傍に配置したペルチェ素子に電圧を印加して、温度を低温に保持しつつ、ゲート酸化膜21eの厚さを薄く形成する。一方、不揮発性メモリ22直下に配置したゼーベック素子25で温度を監視しフィードバック制御して、不揮発性メモリ22近傍に配置したペルチェ素子に電圧を印加して、温度を高温に保持しつつ、ゲート酸化膜22eを厚く形成する。

請求項（抜粋）：

半導体材料の表面または内部に、半導体材料または金属材料で作製された熱電素子を配置したことを特徴とする半導体基板。

IPC (12件)：

H01L 35/32 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 23/38 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/34

FI (9件)：

H01L 35/32 A ,  H01L 23/38 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/34 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/08 102 A

Fターム (15件)：

5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BC01 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BH01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-362551   出願人：株式会社日立製作所