特許
J-GLOBAL ID：200903066985154330

低誘電率、低線熱膨張係数、高ガラス転移温度および高透明性を同時に有する半芳香族ポリイミド膜およびその前駆体の製造方法

発明者：
長谷川 匡俊

長谷川 匡俊 について

, 
石井 淳一

石井 淳一 について


出願人/特許権者：
ソニーケミカル株式会社

ソニーケミカル株式会社 について


代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-383836
公開番号（公開出願番号）：特開2005-146073
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】低誘電率と低線熱膨張率を兼ね備えたポリイミドを提供する。 【解決手段】本発明により製造されるポリイミド前駆体は下記単位構造式(1)に示される繰り返し構造単位を有している。このポリイミド前駆体のイミド化率が0.9以上1.0以下になるように生成を行えば、生成の過程で塩が生成されず、均一で粘稠なポリイミド前駆体の溶液が得られる。また、上記式(1)の繰り返し構造単位を有するポリイミド前駆体をイミド化すると、低誘電率と低線熱膨張係数という特徴を兼ね備えたポリイミドを生成することができる。【化6】【選択図】無し
請求項（抜粋）：
トランス1,4-ジアミノシクロヘキサンと、シリル化剤とを反応させて中間生成物を生成した後、前記中間生成物とピロメリット酸二無水物とを反応させ、繰り返し構造単位が下記単位構造式(1)で表されるポリイミド前駆体を製造するポリイミド前駆体の製造方法。
IPC (1件)：
C08G73/10
FI (1件)：
C08G73/10
Fターム (18件)：
4J043PA02 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043QB50 ,  4J043RA05 ,  4J043RA34 ,  4J043SA06 ,  4J043SA46 ,  4J043TA22 ,  4J043TA71 ,  4J043UA041 ,  4J043XA16 ,  4J043XA19 ,  4J043YA19 ,  4J043ZA20 ,  4J043ZA43 ,  4J043ZA52 ,  4J043ZB50
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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