特許

J-GLOBAL ID：200903067017921200

半導体ディスク装置

発明者： 助川 博
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267212
公開番号（公開出願番号）：特開平6-119128
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】フラッシュEEPROMを使用した半導体ディスク装置のアクセス速度の向上を図る。【構成】連続する複数のセクタ番号が半導体ディスク装置10のフラッシュEEPROMチップ11-0〜11-4に横断して割り当てられており、その割り当ての内容が、ホストCPUからの論理アドレスを実メモリアドレスに変換するためのアドレス変換情報としてアドレス変換テーブル121保持される。このため、ホストCPUによって同一トラック内の連続するセクタ番号が指定された時に、複数のフラッシュEEPROMが同時アクセスされる。したがって、連続アクセスするセクタを同一トラックにまとめるというホストCPUの既存のディスクアクセス手法によって半導体ディスク装置10のアクセス速度を向上でき、半導体ディスク装置10をディスク代替として有効利用することが可能となる

請求項（抜粋）：

複数のフラッシュEEPROMチップを備えた半導体ディスク装置において、トラック番号およびセクタ番号によって指定されるホストシステムからの論理アドレスを、アドレス変換情報に従って前記複数のフラッシュEEPROMチップをアクセスするための実メモリアドレスに変換するアドレス変換手段と、このアドレス変換手段によって変換された実メモリアドレスに従って、前記複数のフラッシュEEPROMチップをリード/ライトアクセスするメモリアクセス手段と、このメモリアクセス手段によって前記複数のフラッシュEEPROMチップが同時アクセスされるように連続する複数のセクタ番号を前記複数のフラッシュEEPROMチップに横断して割り当て、その割り当て結果を前記アドレス変換情報として保持する手段とを具備することを特徴とする半導体ディスク装置。

IPC (2件)：

G06F 3/08 ,  G11C 17/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-163074   出願人：株式会社日立製作所