特許
J-GLOBAL ID：200903067018776750

金属アミジナートを用いる原子層の析出

発明者：
ゴードン,ロイ ジー.

ゴードン,ロイ ジー. について

, 
リム,ボーヨン エス.

リム,ボーヨン エス. について


出願人/特許権者：
プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ

プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  竹内 浩二 ,  西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-570408
公開番号（公開出願番号）：特表2006-511716
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
銅(I)N,N’-ジイソプロピルアセトアミジネートの蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上に銅の金属薄膜を析出させる。コバルト(II)ビス(N,N’-ジイソプロピルアセトアミジネート)の蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上にコバルトの金属薄膜を析出させる。これら金属の窒化物及び酸化物の薄膜は、前記水素をそれぞれアンモニア又は水蒸気に代えることによって形成することができる。これらの薄膜は、均一な厚さを有しかつ細孔での優れたステップカバレッジを有する。好適な応用には、マイクロエレクトロニクスにおける電子的連結及び磁気情報記録装置における磁気抵抗が含まれる。
請求項（抜粋）：
加熱基板を一種以上の揮発性金属アミジナート化合物の蒸気に、次いで、還元性ガス又は蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 16/455 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285
FI (3件)：
C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 C
Fターム (36件)：
4H048AA01 ,  4H048AB84 ,  4H048VA30 ,  4H048VA56 ,  4H048VA57 ,  4H048VA60 ,  4H048VB10 ,  4H049VN05 ,  4H049VQ40 ,  4H050AA01 ,  4H050AB84 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB12 ,  4K030EA03 ,  4K030LA15 ,  4K030LA20 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6,294,836号明細書
  • 米国特許第6,444,263号明細書
  • 米国特許第6,211,090号明細書
審査官引用 (1件)

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