半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：藤島洋一郎 , 三反崎泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-122938
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294789
出願日： 2006年04月27日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】外部素子を必要としない簡素な構成で、高輝度化を実現することができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】二次元フォトニック結晶領域60の一部に欠陥領域70を設け、反射膜80を積層する。活性層24で発生した光は二次元フォトニック結晶領域60による正反射の作用を受け、その一部は欠陥領域70にしみ出す。欠陥領域70にしみ出た波長成分のうち欠陥領域70の共振波長に合致した光は活性層24の面外方向に出射し、反射膜80で反射されて欠陥領域70を経由して活性層24にフィードバックされる。欠陥領域70を経由してフィードバックされる狭帯域な波長成分においてレーザのゲインが増大し、レーザ発振はこの波長成分に同期した単一の発振モードに固定される。従って、発振スペクトルが狭く発散角が小さくなり、輝度が向上する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

活性層を含む半導体層の積層構造を有するレーザ構造部と、前記レーザ構造部の主出射側端面に形成された反射鏡膜と、前記レーザ構造部を間にして前記反射鏡膜に対向し、二次元方向に周期的な屈折率分布を有すると共に、一部に前記周期的な屈折率分布のない欠陥領域を有する二次元フォトニック結晶領域と、前記二次元フォトニック結晶領域に対して前記半導体層の積層方向に重ねて形成された反射膜とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/10

FI (1件)：

H01S5/10

Fターム (8件)：

5F173AA08 , 5F173AB90 , 5F173AH02 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AR03 , 5F173AR14 , 5F173AR55

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-361420 出願人：ソニー株式会社

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