特許
J-GLOBAL ID：200903044278528963
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-361420
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129604
出願日： 2003年10月22日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】ブロードエリア型の半導体レーザにおいて、NFPの均一化を図る。【解決手段】n型のクラッド層2とn型のガイド層3と活性層4とp型のガイド層5とp型のクラッド層6とを用いて光の導波路を形成してなる半導体レーザの構成として、導波路の軸方向となるX方向の両端に設けられたレーザ端面9A,9Bのうち、一方のレーザ端面9Bの近傍に、導波路内を導波される光を活性層4と平行な面内でX方向と異なる方向に回折する回折部10を設けた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層と2つのクラッド層とを用いて光の導波路を形成するとともに、前記導波路の軸方向の両端に設けられたレーザ端面のうち、少なくとも一方のレーザ端面の近傍に、前記導波路内を導波される光を前記活性層と平行な面内で前記導波路の軸方向と異なる方向に回折する回折部を設けてなる
ことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F073AA04
, 5F073AA41
, 5F073AA45
, 5F073AA72
, 5F073AA85
, 5F073BA05
, 5F073BA07
, 5F073BA09
, 5F073CA05
, 5F073CA06
, 5F073CA07
, 5F073CA14
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA15
出願人引用 (1件)
-
半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-247187
出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (2件)
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