半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344220
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186318
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】接合リークが少なく、かつ短チャンネル効果の起こりにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の上にゲート上部絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極の側壁上に絶縁性サイドウォールスペーサ膜を形成する工程と、ゲート上部絶縁膜およびサイドウォールスペーサ膜を覆うように導電体薄膜を堆積する工程と、化学的機械的研磨法によって半導体薄膜の一部を選択に除去し、ゲート上部絶縁膜を露出させ、それによって導電体薄膜からL字型導電体層を形成する研磨工程と、を包含しており、研磨工程は、砥粒を添加した溶液を用いて行う半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

主面に活性領域及び素子分離領域が設けられた第1導電型半導体層と、該活性領域上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の側壁上に形成された絶縁性サイドウォールスペーサ膜と、を備えた半導体装置であって、更に、該活性領域上に形成され、第2導電型不純物がドープされた一対のL字型導電体層を備えており、該L字型導電体層の各々は、該サイドウォールスペーサ膜によって該ゲート電極から電気的に分離され、ソース領域またはドレイン領域として機能する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/28 301 T , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭57-167677
特開平1-110772
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-034424 出願人：シャープ株式会社

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