特許

J-GLOBAL ID：200903067048517660

超臨界処理方法及び超臨界処理装置

発明者： 生津 英夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078129
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282510
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 より短時間で基板上に残留している液体を除去することで、より迅速に超臨界流体による処理が行えるようにする。【解決手段】 液化二酸化炭素など大気雰囲気では気体である物質の液体が導入された処理室101aの内部で、加熱部104の加熱により処理室101a内の基板102下方の液体部分を加熱して超臨界状態となり得る温度とすることで、加熱部104と基板102との間の液体部分に超臨界流体の泡沫を発生させ、この領域で沸騰したような状態を形成する

請求項（抜粋）：

基板の主表面を所定の処理液に晒す第1の工程と、前記基板の主表面に前記処理液が付着している状態で、前記基板を処理室内部に配置し、この処理室内に大気雰囲気では気体である物質の液体を導入し、前記処理室内部の圧力を前記物質が超臨界状態となり得る特定の圧力として前記基板の主表面が前記物質の液体に晒された状態とする第2の工程と、前記基板の主表面が前記特定の圧力で前記物質の液体に晒された状態で、前記基板より離間して前記基板の下部に配置された加熱部で前記基板の下方にある前記物質の液体を加熱する第3の工程と、前記処理室内に導入された前記物質の液体を超臨界状態の超臨界流体とし、前記基板の主表面が前記超臨界流体に晒された状態とする第4の工程と、前記処理室内の前記超臨界流体を前記処理室の外へ排出することで前記処理室内部の圧力を低下させ、前記超臨界流体を気化させて前記基板の主表面が気体に晒された状態とする第5の工程とを備え、前記第3の工程では、前記基板の主表面が前記加熱部より見込めるように前記基板を前記処理室内部に配置し、前記加熱部で前記物質が前記特定の圧力で超臨界状態となる温度以上に加熱することを特徴とする超臨界処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 651 ,  F26B 9/06 ,  F26B 21/14

FI (4件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 651 Z ,  F26B 9/06 A ,  F26B 21/14

Fターム (14件)：

3L113AA01 ,  3L113AB02 ,  3L113AB06 ,  3L113AB09 ,  3L113AC28 ,  3L113AC48 ,  3L113AC49 ,  3L113AC50 ,  3L113AC67 ,  3L113AC76 ,  3L113BA34 ,  3L113CA08 ,  3L113CB05 ,  3L113DA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 超臨界乾燥方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-358909   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体ウェハの洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-031773   出願人：シャープ株式会社
• 特開平1-220828