特許
J-GLOBAL ID:200903067050953486

液晶ディスプレイの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金丸 章一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-103110
公開番号(公開出願番号):特開平5-297389
出願日: 1992年04月22日
公開日(公表日): 1993年11月12日
要約:
【要約】【構成】 薄膜状配線膜を備えた液晶ディスプレイを製造するに際し、基板上にTa:0.1〜10at%の下地Al-Ta 合金膜8を形成し、パターニングした後、その表面に厚み100 Å以上の陽極酸化膜8fを形成することにより、薄膜状配線膜9を形成する。【効果】 下地Al-Ta 合金膜8と、厚み100 Å以上の陽極酸化膜8fとからなる耐ヒロック性に優れ且つ比抵抗の小さい配線膜9が得られ、これを従来の液晶ディスプレイの配線膜に代えて使用することにより、ヒロックによるショートが起こり難くて信頼性に優れ、又、配線膜の比抵抗が小さくてゲートバスラインの遅延時間の短縮化が図れる液晶ディスプレイを製造し得、その結果、信頼性に優れた大型液晶ディスプレイが得られるようになる。
請求項(抜粋):
基板上に薄膜状の配線膜を物理蒸着法により形成する工程と、前記配線膜をパターニングする工程と、該パターニング工程の後に前記配線膜の一部又は全部を陽極酸化する工程とを含む製造工程により、薄膜状の配線膜を備えた液晶ディスプレイを製造するに際し、前記物理蒸着法による配線膜形成工程で形成する配線膜を合金成分としてTaを0.1 〜10at%含有するAl基合金にし、且つ、前記配線膜の陽極酸化工程で表面に形成する陽極酸化膜の厚みを100 Å以上にすることを特徴とする液晶ディスプレイの製造方法。
IPC (3件):
G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/3205
引用特許:
審査官引用 (6件)
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