特許

J-GLOBAL ID：200903067054911605

半導体製造方法

発明者： 中井 晶也
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130543
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342747
出願日： 1993年06月01日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 ステップアンドリピートタイプの半導体製造装置において、レチクルRTのパターンをチップローテーションや配列誤差のない状態でウェハW上に形成することを可能にする。【構成】 レチクルRTのX軸あるいはY軸のZ軸回りの回転方向を検出し、レーザ干渉計IFY,IFθの計測出力を利用しながらXYθステージXYSを検出値に応じた値だけZ軸回りに回転駆動すると共に、XYθステージをZ軸回りに回転駆動した後に、XYθステージをレーザ干渉計IFX,IFYの計測出力を利用しながらステップアンドリピート方式で移動させてレチクルのパターンをウエハの各ショットに順に露光転写させる。

請求項（抜粋）：

原板上のパターンを基板上の各ショットに順に露光転写する半導体製造方法において、原板ステージに前記原板を保持する原板保持ステップと、X及びY軸方向に移動すると共にZ軸回りに回転し、そのX及びY軸方向の位置とZ軸回りの回転方向の位置がレーザ干渉計を介して計測される基板ステージに前記基板を保持する基板保持ステップと、前記原板ステージ上の前記原板のX軸あるいはY軸のZ軸回りの回転方向を検出する検出ステップと、前記レーザ干渉計の計測出力を利用しながら前記検出ステップの検出出力に応じて前記基板ステージをZ軸回りに回転駆動する回転駆動ステップと、前記基板ステージをZ軸回りに回転駆動した後に前記基板ステージを前記レーザ干渉計の計測出力を利用しながらステップアンドリピート方式で移動させて前記原板上のパターンを前記基板の各ショットに順に露光転写させるステップを有することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 投影露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-270681   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-194322
  
• 特開平1-191420
  
• 特開平4-144115