特許
J-GLOBAL ID：200903067065719420

レーザアニール装置

発明者：
遠藤 一正

遠藤 一正 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 藤本 芳洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-128059
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311164
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 非晶質膜の膜質や膜厚、非晶質膜を照射するレーザ光の波長やパルス幅等の違いに応じてガラス基板上でのエネルギ密度分布を変更可能とするレーザアニール装置を提供する。【解決手段】 レーザ光源1からの光束により第1基板Mを照明する照明光学系と、前記第1基板M上に形成されたパターンを第2基板W上に投影する投影光学系PLと、前記第2基板Wに設けられている非晶質膜の膜厚及び構造の少なくとも一方の情報に基づいて、前記第2基板W上でのエネルギ密度分布を可変するエネルギ密度分布可変手段4a,7,8,9,10,15,WSとを備えることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レーザ光源からの光束により第1基板を照明する照明光学系と、 前記第1基板上に形成されたパターンを第2基板上に投影する投影光学系と、 前記第2基板に設けられている非晶質膜の膜厚及び構造の少なくとも一方の情報に基づいて、前記第2基板上でのエネルギ密度分布を可変するエネルギ密度分布可変手段と を備えることを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (2件)：
H01L21/268 ,  H01L21/20
FI (3件)：
H01L21/268 J ,  H01L21/268 T ,  H01L21/20
Fターム (8件)：
5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA12 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01
引用特許：
出願人引用 (1件)

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