特許
J-GLOBAL ID:200903067100349348
半導体洗浄用洗浄剤
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-236173
公開番号(公開出願番号):特開2008-060377
出願日: 2006年08月31日
公開日(公表日): 2008年03月13日
要約:
【課題】金属配線をエッチングしない半導体洗浄用洗浄剤を提供することを目的とする。【解決手段】テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド(A1)、(ヒドロキシアルキル)トリアルキルアンモニウムヒドロキシド(A2)、ビス(ヒドロキシアルキル)ジアルキルアンモニウムヒドロキシド(A3)及びトリス(ヒドロキシアルキル)アルキルアンモニウムヒドロキシド(A4)からなる群より選ばれる少なくとも1種の第4級アンモニウムヒドロキシド(A)、脂肪族アミン(B)及び水(W)を含有してなり、第4級アンモニウムヒドロキシド(A)、脂肪族アミン(B)及び水(W)の重量に基づいて、第4級アンモニウムヒドロキシド(A)の含有量が0.1〜9重量%、脂肪族アミン(B)の含有量が0.01〜0.15重量%、水(W)の含有量が90.9〜99.8重量%であり、25°CでのpHが12.0〜14.0である半導体洗浄用洗浄剤を用いる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド(A1)、(ヒドロキシアルキル)トリアルキルアンモニウムヒドロキシド(A2)、ビス(ヒドロキシアルキル)ジアルキルアンモニウムヒドロキシド(A3)及びトリス(ヒドロキシアルキル)アルキルアンモニウムヒドロキシド(A4)からなる群より選ばれる少なくとも1種の第4級アンモニウムヒドロキシド(A)、炭素数2〜6の脂肪族アミン(B)及び水(W)を含有してなり、
第4級アンモニウムヒドロキシド(A)、脂肪族アミン(B)及び水(W)の重量に基づいて、第4級アンモニウムヒドロキシド(A)の含有量が0.1〜9重量%、脂肪族アミン(B)の含有量が0.01〜0.15重量%、水(W)の含有量が90.9〜99.8重量%であり、
25°CでのpHが12.0〜14.0である半導体洗浄用洗浄剤。
IPC (3件):
H01L 21/304
, C11D 7/32
, C11D 17/08
FI (3件):
H01L21/304 647A
, C11D7/32
, C11D17/08
Fターム (8件):
4H003BA12
, 4H003DA15
, 4H003EB13
, 4H003EB14
, 4H003EB19
, 4H003ED02
, 4H003FA21
, 4H003FA28
引用特許:
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