半導体レーザ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346951
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190126
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】発振しきい電流および動作電流値が小さく、温度特性の劣化を防止でき、かつ低雑音の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 In<SB>V</SB>(Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>)<SB>1-V</SB>Pで構成される活性層4上に第一導電型のIn<SB>V1</SB>(Ga<SB>1-Y1</SB>Al<SB>Y1</SB>)<SB>1-V1</SB>Pで構成される第1の光ガイド層5、第一導電型のGa<SB>1-Y2</SB>Al<SB>Y2</SB>Asで構成される第2の光ガイド層6、電流透過用窓7aを有する第二導電型のGa<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>Asで構成される電流ブロック層7、第一導電型のGa<SB>1-Y3</SB>Al<SB>Y3</SB>Asで構成されかつ電流ブロック層7の電流透過用窓7aを充填する第3の光ガイド層8を順次形成し、V、V1、X、Y1、Y2、Y3、およびZの関係を、0.45≦V≦0.55、0.45≦V1≦0.55、0≦Y2<Y3<Z<1、0≦X<Y1<1とする。

請求項（抜粋）：

In<SB>V</SB>(Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>)<SB>1-V</SB>Pで構成される活性層上に、第一導電型のIn<SB>V1</SB>(Ga<SB>1-Y1</SB>Al<SB>Y1</SB>)<SB>1-V1</SB>Pで構成される第1の光ガイド層、第一導電型のGa<SB>1-Y2</SB>Al<SB>Y2</SB>Asで構成される第2の光ガイド層、電流透過用窓を有し第二導電型のGa<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>Asで構成される電流ブロック層、および第一導電型のGa<SB>1-Y3</SB>Al<SB>Y3</SB>Asで構成され、かつ前記電流ブロック層の電流透過用窓を充填する第3の光ガイド層が順次形成され、前記V、V1、X、Y1、Y2、Y3、およびZが、0.45≦V≦0.55、0.45≦V1≦0.55、0≦Y2<Y3<Z<1、0≦X<Y1<1なる関係を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106289 出願人：松下電子工業株式会社
特開平4-116993
特開平4-116993

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