特許

J-GLOBAL ID：200903067137599417

圧電薄膜デバイス

発明者： 郷治 庄作 ,  岩田 雄一 ,  鈴木 健吾
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  エヌジーケイ・オプトセラミックス株式会社
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-033609
公開番号（公開出願番号）：特開2007-282192
出願日： 2007年02月14日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくい圧電薄膜デバイスを提供する。【解決手段】圧電薄膜フィルタ1は、支持基板11の上に、接着層12、キャビティ形成膜13、下面電極14、圧電体薄膜15及び上面電極16をこの順序で積層した構造を有している。上面電極161及び162は、それぞれ、励振領域E1において圧電体薄膜15を挟んで下面電極14と対向して圧電薄膜共振子R1及びR2を形成する。上面電極163は、非励振領域E2において圧電体薄膜15を挟んで下面電極14と対向する。圧電体薄膜15には、圧電体薄膜15の上面と下面との間を貫通し、非励振領域E2において圧電体薄膜15を挟んで対向する上面電極163と下面電極14とを導通させる10個の下面電極導通穴HLが形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスであって、 圧電体薄膜と、 励振領域において前記圧電体薄膜を挟んで対向するように前記圧電体薄膜の第1主面及び第2主面にそれぞれ形成された第1電極及び第2電極と、 非励振領域において前記圧電体薄膜を挟んで前記第1電極と対向するように前記圧電体薄膜の第2主面に形成された第3電極と、 を備え、 前記圧電体薄膜には、前記第1主面と前記第2主面との間を貫通し、前記第1電極と前記第3電極とを導通させる導通穴が形成されていることを特徴とする圧電薄膜デバイス。

IPC (5件)：

H03H 9/54 ,  H03H 9/17 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (7件)：

H03H9/54 Z ,  H03H9/17 F ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 L

Fターム (16件)：

5J108AA01 ,  5J108AA04 ,  5J108AA07 ,  5J108BB02 ,  5J108BB08 ,  5J108CC04 ,  5J108CC10 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108DD06 ,  5J108DD07 ,  5J108FF02 ,  5J108FF11 ,  5J108GG03 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 圧電薄膜共振子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-126465   出願人：東光株式会社