特許

J-GLOBAL ID：200903067145765105

半導体レーザ

発明者： 豊中 隆司 ,  佐川 みすず ,  平本 清久 ,  土屋 朋信 ,  篠田 和典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167673
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032173
出願日： 1994年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】高い光出力でも安定な単一横モードで発振し、高信頼性を有する半導体レーザを提供する。【構成】InGaAs歪量子井戸活性層とクラッド層を有する半導体レーザで、ストライプ部全体の実効屈折率が、上記ストライプ部の両側部分全体の実効屈折率より0.1%以上0.3%未満大きく、また上記ストライプ部の幅が4μm以下である。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、少なくともInGaAs量子井戸層を含む超格子構造からなる活性層と、上記活性層の上層および下層に上記GaAs基板に格子整合するIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>(但し0≦y<1)クラッド層を有する波長0.9〜1.1μm帯の半導体レーザにおいて、上記活性層を光が伝搬する方向に沿ってストライプ状に周囲より屈折率の大きい高屈折率領域を有し、上記高屈折率領域を含み、上記GaAs基板に垂直な面で囲まれたストライプ部の全体の実効屈折率が、上記ストライプ部の両側にある上記高屈折率領域を含まない部分全体の実効屈折率より0.1%以上0.3%未満大きく、また上記ストライプ部の幅が4μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 歪量子井戸半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-070599   出願人：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社