特許

J-GLOBAL ID：200903067151971442

微細パターン形成用モールド及びその製造方法

発明者： 駒野 晴保
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-142261
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327787
出願日： 2004年05月12日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】 半導体表面に微細パターンを形成するための半永久的に使用可能な微細パターン形成用モールド及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板表面に微細パターンを転写すべくモールド本体の表面に凹凸11d、11eを形成した微細パターン形成用モールドにおいて、上記凹凸11d、11eが形成されるモールド11c本体を石英ガラス11で形成すると共に、その凹凸側のモールド表面にP2O5、B2O3、GeO2のうち少なくとも1種類をドープしたSiO2膜15aを形成し、その凸部11eの表面のSiO2膜を処理して略半球状若しくは丸みを帯びた先端部15bを形成した微細パターン形成用モールド及びその製造方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に微細パターンを転写すべくモールド本体の表面に凹凸を形成した微細パターン形成用モールドにおいて、上記凹凸が形成されるモールド本体を石英ガラスで形成すると共に、その凹凸側のモールド表面にP2O5、B2O3、GeO2のうち少なくとも1種類をドープしたSiO2膜を形成し、その凸部の表面のSiO2膜を熱処理して丸みを帯びた先端部を形成したことを特徴とする微細パターン形成用モールド。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501

Fターム (2件)：

2H097AA20 ,  5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-257850   出願人：日本電信電話株式会社, 益田秀樹