特許
J-GLOBAL ID：200903067165155753
圧電式音波センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-221821
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043233
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】従来よりも検出感度を向上する。【解決手段】本実施形態と従来例とは、ダイヤフラム部3の表面において圧電膜6並びに上部電極7の各層に複数の空所8が設けられている点が異なる。これら複数の空所8は、上部電極7と圧電膜6を貫通して下部電極5の表面まで達し且つ互いに平行な複数の直線状の溝からなる。ダイヤフラム部3の表面における圧電膜6に複数の空所8を設けているため、圧電膜6に発生する残留応力のうちで空所8の長手方向と交差する方向の成分が空所8によって緩和することができる。その結果、残留応力の影響を低減してダイヤフラム部3が撓み易くなるから検出感度が向上できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を加工して薄膜状に形成されるダイヤフラム部と、半導体基板からなりダイヤフラム部の周囲を囲み且つ支持する枠部と、ダイヤフラム部の表面に密着して設けられる酸化膜層と、ダイヤフラム部と反対側の酸化膜層表面に密着して設けられる薄膜状の下部電極層と、酸化膜層と反対側の下部電極層表面に密着して設けられる薄膜状の圧電膜層と、下部電極層と反対側の圧電膜層表面に密着して設けられる薄膜状の上部電極層とを備え、音波を受けてダイヤフラム部が撓んだときに圧電膜層に発生する電圧を下部電極層並びに上部電極層を通して取り出す圧電式音波センサであって、
ダイヤフラム部の表面において酸化膜層、下部電極層、圧電膜層、上部電極層の少なくとも何れかの層に空所が設けられたことを特徴とする圧電式音波センサ。
IPC (4件)：
H04R 17/02
, H04R 17/00
, H01L 41/08
, H01L 41/187
H04R17/02
, H04R17/00 330H
, H01L41/08 Z
, H01L41/18 101D
5D004AA01
, 5D004DD03
, 5D004FF01
, 5D019AA21
