特許

J-GLOBAL ID：200903067168610915

薄化前に接触孔が開けられるカラー画像センサの製造方法

発明者： プルキエール, エリック
出願人/特許権者： アトメル グルノーブル ソシエテ アノニム
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-523015
公開番号（公開出願番号）：特表2005-501422
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

本発明は、カラー画像センサの製造方法に関する。当該方法は:半導体ウェハ(10)の前面に、画像検出回路を備え且つそれぞれが各画像センサに対応する一連の活性領域(ZA)を形成することと、ここで各活性領域は入力/出力パッド(22)に囲まれている;ウェハの前面を仮の支持基板(20)の前面に対して移載することと;画像検出回路を備える薄いシリコン層(30)を基板に残して、半導体ウェハの厚さの大部分を除去すること;からなる。さらに当該方法は:薄化された半導体層上に、カラーフィルタ層(18)を堆積させ、次いでエッチングすることと;半導体ウェハの前面を基板に移載する前に、ウェハ表面に形成された画像検出回路要素よりも深くまで延びる金属孔(25)をウェハ前面に形成すること;を備え、薄化段階は金属孔の金属部分(22)を背面から露出させることを含む。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

-半導体ウェハ(10)の前面に、画像検出回路を備え且つそれぞれが各画像センサに対応する一連の活性領域(ZA)を形成することと、ここで各活性領域は入力/出力パッド(22)に囲まれている -ウェハの前面を仮の支持基板(20)の前面に対して移載することと、 -画像検出回路を備える薄いシリコン層(30)を基板に残して、シリコンウェハの厚さの大部分を除去すること からなる画像センサの製造方法であって、 -第一に、このようにして薄化された半導体層上に、カラーフィルタ層(18)を堆積させ、次いでエッチングすることと、 -第二に、半導体ウェハの前面を基板に移載する前に、ウェハ表面に形成された画像検出回路要素よりも深くまで延びる金属孔(25)をウェハ前面に形成し、半導体ウェハの厚さの大部分を除去する段階は金属孔の金属部分(22)を背面から露出させることを含むことと、 -最後に、カラーフィルタの堆積及びエッチングの後、基板を個々のセンサに切り分けること を特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L27/14 ,  H04N5/335

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U

Fターム (13件)：

4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  4M118HA33 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 増幅型半導体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196847   出願人：シャープ株式会社