特許
J-GLOBAL ID：200903067203552745
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241827
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068448
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】シリコン化合物表面に微細パターンを比較的安全に形成することが可能なエッチング方法を提供すること。【解決手段】本発明のエッチング方法は、シリコン化合物表面1と紫外線11を透過する窓部材2との間にフッ化水素酸及び酸化剤を含有する薄液層を介在させ、前記窓部材2側から前記シリコン化合物表面1に向けて紫外線11を照射することにより前記シリコン化合物表面1の少なくとも一部を酸化させるとともに、それにより生成するシリコン酸化物を前記薄液層に含まれるフッ化水素酸で前記シリコン化合物表面1から除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン化合物表面と紫外線を透過する窓部材との間にフッ化水素酸及び酸化剤を含有する薄液層を介在させ、前記窓部材側から前記シリコン化合物表面に向けて紫外線を照射することにより前記シリコン化合物表面の少なくとも一部を酸化させるとともに、それにより生成するシリコン酸化物を前記薄液層に含まれるフッ化水素酸で前記シリコン化合物表面から除去することを特徴とするエッチング方法。
Fターム (8件)：
5F043AA09
, 5F043BB01
, 5F043DD08
, 5F043DD10
, 5F043DD30
, 5F043EE16
, 5F043EE27
, 5F043EE40
