特許

J-GLOBAL ID：200903067211989737

半導体装置およびその製造方法

発明者： 大場 竜二 ,  加藤 理一 ,  棚本 哲史 ,  杉山 直治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061304
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256403
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、室温動作が可能な単一電子素子とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11上に形成された少なくとも1対の電極13、14と、前記1対の電極間に形成された溝15と、前記溝の両側面に内接され、前記溝の両側面との間に2つのトンネル接合を形成し、電子1個を保持できる導電性微粒子16とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された少なくとも1対の電極と、前記1対の電極間に形成された溝と、前記溝の両側面に内接され、前記溝の両側面との間に2つのトンネル接合を形成し、電子1個を保持できる導電性微粒子と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 301 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-311426   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭49-052581
  
• 特開昭48-027687