特許

J-GLOBAL ID：200903067241631020

ウェハ処理装置

発明者： 脇田 忠治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121324
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316292
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明はウェハ処理装置に関し、ウェハ処理室の真空度が損なわれないようにすることを目的とする。【構成】 ウェハ処理室40は、リフトピン収容部43を有する。リフトピン収容部43は、筒体44と底板45とを有する。リフトピン50は、下端の近くに、鉄製の中間柱部52を有し、リフトピン収容部43内に、上下動可能に納まっている。駆動体60は、リフトピン50と磁気的に結合している。駆動体60が上動すると、リフトピン50が、リフトピン収容部43内で、上動する。

請求項（抜粋）：

ウェハを支持するステージを内部に有するウェハ処理室と、上動して上記ウェハを上記ステージより押し上げるリフトピンと、有底筒形状を有し、上記ウェハ処理室より下方に延出しており、上記リフトピンを収容しているリフトピン収容部と、該リフトピン収容部に沿って上下動する昇降手段と、該昇降手段と上記リフトピンとを磁気的に結合する磁気的結合手段とを有し、該昇降手段が上動すると、上記磁気的結合手段を介して上記リフトピンが上記リフトピン収容部内で上動するように構成したことを特徴とするウェハ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理開始方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-059367   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-285767   出願人：株式会社荏原製作所