特許
J-GLOBAL ID：200903067241976788

キノキサリン環を主鎖に有する有機薄膜トランジスタ用有機半導体高分子

発明者：
李 芳 ▲燐▼

李 芳 ▲燐▼ について

, 
鄭 銀 貞

鄭 銀 貞 について

, 
姜 仁 男

姜 仁 男 について

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韓 國 ▲眠▼

韓 國 ▲眠▼ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-346312
公開番号（公開出願番号）：特開2005-171243
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】高い電荷移動度及び低い遮断状態漏れ電流を有する複合構造のポリチエニルキノキサリン誘導体、その製造方法、及び前記ポリチエニルキノキサリン誘導体を使用した有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】p型半導体特性を有するポリチオフェンに、電子親和力の大きい、すなわちn型半導体特性を持つキノキサリン環を導入したp型とn型の電気的特性を同時に示すポリチエニルキノキサリン誘導を使用し、且つ、基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機活性層、及びソース/ドレイン電極を含んでなる有機薄膜トランジスタを提供する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
下記化学式(1)
IPC (4件)：
C08G61/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (6件)：
C08G61/12 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28
Fターム (37件)：
4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA08 ,  4J032BA09 ,  4J032BA12 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BB05 ,  4J032BC01 ,  4J032BC03 ,  4J032CD02 ,  4J032CE03 ,  4J032CG01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 国際公開第WO00/79617A1号パンフレット
  • 米国特許6,207,117号明細書
  • 米国特許6,452,207号明細書
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審査官引用 (6件)
  • 溶液に影響される整列
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-513059   出願人：プラスティックロジックリミテッド
  • 有機TFT用の配列されたポリマー
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-505082   出願人：ケンブリッジユニバーシティテクニカルサービシズリミティド
  • 重合体およびその調製方法と使用方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-605274   出願人：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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