特許

J-GLOBAL ID：200903067253159688

半導体発光装置とその製造方法

発明者： 長崎 洋樹 ,  木村 美保子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-025981
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217381
出願日： 2004年02月02日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】半導体発光素子の構成半導体層数を増加することなく、簡潔な構造により、サイリスタを作り込む。【解決手段】同一基体3上に、第1導電型の第1クラッド層4と、活性層5と、第2導電型の第2クラッド層6とを少なくとも有する第1の波長の発光がなされる第1の半導体発光素子1と、第1導電型の第1クラッド層14と、活性層15と、第2導電型の第2クラッド層16とを少なくとも有する第2の波長の発光がなされる第2の半導体発光素子2と、第1の半導体発光素子1の少なくとも第1導電型の第1クラッド層4と、活性層5と、第2導電型の第2クラッド層6と、第2の半導体発光素子2の少なくとも上記第1導電型の第1クラッド層14と、活性層15と、第2導電型の第2クラッド層16とが積層されて形成されたサイリスタ構造部20とを構成半導体層数を増加することなく、簡潔な構造により、また特段の製造方法によることなく作り込む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一基体上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層とを少なくとも有する第1の波長の発光がなされる第1の半導体発光素子と、 第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層とを少なくとも有する第2の波長の発光がなされる第2の半導体発光素子と 上記第1の半導体発光素子の少なくとも上記第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層と、上記第2の半導体発光素子の少なくとも上記第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層とが積層されて形成されたサイリスタ構造部とを有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01S5/22

FI (1件)：

H01S5/22 610

Fターム (8件)：

5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA22 ,  5F073EA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227144   出願人：松下電子工業株式会社