特許
J-GLOBAL ID：200903067261032522
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片山 修平
, 横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-057828
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218926
出願日： 2007年03月07日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】低背化が可能なこと、または、アンダーフィル材を簡単に形成することができること。【解決手段】本発明は、半導体ウエハ10上に柱状電極40を形成する工程と、半導体ウエハ10上に第2半導体チップ20をフリップチップボンディングする工程と、半導体ウエハ10上に、柱状電極40及び第2半導体チップ20を覆うように封止する封止部30を形成する工程と、柱状電極40の上面及び第2半導体チップ20の上面が露出するように封止部30及び第2半導体チップ20を研削または研磨する工程と、封止部30および半導体ウエハ10を切断し第2半導体チップ20がフリップチップボンディングされ、柱状電極40が設けられた第1半導体チップ11を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上に柱状電極を形成する工程と、
前記半導体ウエハ上に第2半導体チップをフリップチップボンディングする工程と、
前記半導体ウエハ上に、前記柱状電極及び前記第2半導体チップを覆うように封止する封止部を形成する工程と、
前記柱状電極の上面及び前記第2半導体チップの上面が露出するように前記封止部及び第2半導体チップを研削または研磨する工程と、
前記樹脂部および前記半導体ウエハを切断し前記第2半導体チップがフリップチップボンディングされ、前記柱状電極が設けられた第1半導体チップを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/60
H01L25/08 B
, H01L21/60 311Q
5F044KK05
, 5F044LL00
, 5F044LL01
, 5F044QQ01
, 5F044RR03
