特許
J-GLOBAL ID：200903067274100799

半導体記憶装置

発明者：
瀬戸川 潤

瀬戸川 潤 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-258208
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068077
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 データストローブ信号DQSとクロック信号CLKの位相差を正確に把握し、正常な動作を行なうことができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置内の検知回路20はラッチ回路L10とL11とを含む。ラッチ回路L10はライトレイテンシ経過後のクロック信号CLKの立上り時にデータストローブ信号DQSをラッチする。ラッチ回路L11はクロック信号CLKの立上り時にラッチ回路L10の出力信号を受け、検知信号JUDGEを出力する。半導体記憶装置内の各回路は検知信号JUDGEにより制御される。
請求項（抜粋）：
外部から入力されるクロック信号と、外部から入力され、データを取り込むための信号であるストローブ信号との位相差を検知し、その結果を検知信号として出力する検知手段と、前記検知信号に応答して前記データの入力を行なうデータ入力回路とを含む、半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 S
Fターム (14件)：
5M024AA04 ,  5M024BB27 ,  5M024BB34 ,  5M024DD39 ,  5M024DD83 ,  5M024GG01 ,  5M024JJ03 ,  5M024JJ36 ,  5M024JJ40 ,  5M024LL01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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