特許

J-GLOBAL ID：200903067276649038

基板処理方法及び基板処理装置

発明者： 熊谷 佳夫 ,  戸島 孝之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 萩原 康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-142929
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050600
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 ウォータマークを発生させず,レジストの溶解もなく安全に処理することができる,基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。【解決手段】 処理槽61内の純水にウェハWを浸漬させてリンス洗浄した後,ジクロロメタンを処理槽61内に供給し,純水中に浸漬させた状態からジクロロメタン中に浸漬させた状態に置換する。その後,ウェハWを乾燥室61に上昇させ,ウェハWの表面に付着したジクロロメタンを蒸発させると共に,ホットN2ガスをウェハWに吐出する。

請求項（抜粋）：

処理槽内で少なくとも第1の処理液と第2の処理液を用いて基板を処理する方法であって,前記第1の処理液に前記基板を接触させた状態から,前記第1の処理液とは比重が異なる前記第2の処理液に前記基板を接触させた状態に置換することを特徴とする,基板処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 651 ,  B08B 3/02 ,  H01L 21/308

FI (7件)：

H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 642 B ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 651 G ,  H01L 21/304 651 L ,  B08B 3/02 C ,  H01L 21/308 G

Fターム (15件)：

3B201AA03 ,  3B201AB13 ,  3B201AB44 ,  3B201BB02 ,  3B201BB21 ,  3B201BB82 ,  3B201BB88 ,  3B201BB90 ,  3B201BB93 ,  3B201BB95 ,  3B201BB99 ,  3B201CC01 ,  3B201CC12 ,  5F043BB27 ,  5F043EE12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 流体中の半導体ウエハを処理するプロセスおよび装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-509976   出願人：レガシーシステムズインコーポレイテッド
• 特開昭63-058840