光導波路部品、光学部品、光導波路部品の製造方法および周期分極反転構造の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：杉村暁秀 (外8名) , 杉村暁秀 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052679
公開番号（公開出願番号）：特開平10-003100
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】強誘電体光学単結晶基板上に周期分極反転構造等を構成するのに際して、その耐光損傷性を向上させ、この際に強誘電体光学単結晶基板等の基材へのダメージを減少させ、加工後の基材の結晶性を向上させて、周期分極反転構造等の光導波構造の耐光損傷性や出力を向上させる。【解決手段】凹凸加工が施され、かつ単分域処理された強誘電体光学単結晶基板1の少なくとも各凹部内に、強誘電体光学単結晶膜4を液相エピタキシャル成長させる。この際膜4の液相エピタキシャル成長温度よりも、この膜4のキュリー温度の方を低くし、膜4の液相エピタキシャル成長温度よりも、基板1のキュリー温度の方を高くし、膜4を基板1とは反対方向に分極させる。

請求項（抜粋）：

単分域処理された強誘電体光学単結晶基板と、この強誘電体光学単結晶基板上に液相エピタキシャル成長された強誘電体光学単結晶膜とを備えている光導波路部品であって、前記強誘電体光学単結晶基板に凹凸加工が施されており、少なくとも各凹部内に前記強誘電体光学単結晶膜が形成されており、この強誘電体光学単結晶膜が前記強誘電体光学単結晶基板とは反対方向に分極しており、前記強誘電体光学単結晶膜の液相エピタキシャル成長温度よりもこの強誘電体光学単結晶膜のキュリー温度の方が低く、かつ前記強誘電体光学単結晶膜の液相エピタキシャル成長温度よりも前記強誘電体光学単結晶基板のキュリー温度の方が高いことを特徴とする、光導波路部品。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-104233
特開平4-104232
単結晶基板品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222087 出願人：日本碍子株式会社

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