特許
J-GLOBAL ID：200903067305557245
縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265570
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125172
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】オン抵抗の低減と誘電性負荷に対する破壊耐量を向上させた縦型電界効果トランジスタの製造工程を簡略する。【構成】ゲート電極4の縁に沿ってドレイン領域2の表面に形成した環状の高濃度ドレイン領域5を含む表面に高加速エネルギーの不純物をイオン注入して深い高濃度ベース領域7と高濃度ドレイン領域5の一部の導電型を反転させた低濃度ベース領域6とを同時に形成し、且つ、低濃度ベース領域6の外周に接する高濃度ドレイン領域5を設ける。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板上に形成した一導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域上にゲート絶縁膜を介して形成し且つ行列状に配置された開孔部を有するゲート電極と、前記開孔部の前記ドレイン領域内に深く形成した逆導電型の高濃度ベース領域と、前記ベース領域の外周に沿って接し前記ドレイン領域の上面に形成した環状の一導電型高濃度ドレイン領域と、前記開孔部の前記ゲート電極の縁に沿って前記高濃度ベース領域内に形成した環状の逆導電型低濃度ベース領域と、前記低濃度ベース領域内に形成した一導電型のソース領域とを有することを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
引用特許：
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