半導体装置およびヒューズの切断方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021898
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036234
出願日： 1996年01月15日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】設計マージンが十分に確保され、チップ上の占領面積が小さく、また残膜がもたらす電気的導通による不良の発生を抑えた半導体装置及びヒューズの切断方法を提供する。【解決手段】半導体装置内のヒューズ100は、互いに接続された複数のヒューズ素子10、11からなり、これらのヒューズ素子のコンタクト部12を破壊することによりヒューズ切断を行う。コンタクト部は半導体基板の上に形成される絶縁保護膜の開口部で構成されるヒューズ窓の内側に配置されレーザビームはこのヒューズ窓を介してヒューズに照射される。第1のヒューズ素子の上に第2のヒューズ素子が配置されているヒューズは、コンタクト部がレーザービームによりブローされ易くヒューズの切断不良が起こり難い。

請求項（抜粋）：

ヒューズが形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1のヒューズ素子と、前記第1の絶縁膜及び前記第1のヒューズ素子の上に形成され、前記第1のヒューズ素子の先端部に至るコンタクト開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成され、前記コンタクト開口部においてその先端部と前記第1のヒューズ素子の先端部とが電気的に接続されるコンタクト部を有する第2のヒューズ素子と、前記第2の絶縁膜及び前記第2のヒューズ素子の上に形成された第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に形成され、少なくとも前記コンタクト部が形成された領域の上にはレーザビーム照射用のヒューズ窓が開口されている絶縁保護膜とを備え、前記ヒューズは、前記第1のヒューズ素子と前記第2のヒューズ素子とから構成されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-159719 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体装置の配線接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-291296 出願人：三菱電機株式会社

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