特許
J-GLOBAL ID：200903067324925816
発光装置、発光素子、半導体装置及び半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007434
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 発熱部である発光部からの放熱が良好に行われ、しかも高い組立精度を必要とすることなく、動作電圧を小さくすることが出来る発光装置を提供する。【解決手段】 サファイア基板1上に発光部Hを有する半導体層15が形成され、半導体層15の上層部分にn型電極14が形成され、下層部分にn型電極15が形成された半導体レーザ素子100を、ステム33上に配置されたヒートシンクに固定し、ステム33上にはヒートシンク200よりも厚みが薄いスペーサ部材300を配置し、半導体レーザ素子100のp型電極13をヒートシンク200の上面に形成した第1電極層201に接合し、半導体レーザ素子100のp型電極14を前記スペーサ部材の上面に形成した第2電極層202にAgペースト34を介して接続したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に発光部を有する半導体層が形成され、該半導体層の上層部分に第1導電型電極が形成され、下層部分に第2導電型電極が形成された発光素子を、基台上に配置されたヒートシンクに固定してなる発光装置であって、前記基台上には前記ヒートシンクよりも厚みが薄いスペーサを配置し、前記発光素子の第1導電型電極を前記ヒートシンクの上面に形成した第1電極に接合し、前記発光素子の第2導電型電極を前記スペーサの上面に形成した第2電極に導電性接着剤を介して接続したことを特徴とする発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 614
, H01L 33/00 N
5F041AA24
, 5F041AA25
, 5F041CA04
, 5F041DA03
, 5F041DA34
, 5F041DA35
, 5F041FF16
, 5F073AA13
, 5F073AA61
, 5F073BA06
, 5F073FA13
, 5F073FA15
, 5F073FA22
, 5F073FA23
, 5F073FA24
