特許

J-GLOBAL ID：200903067350913869

半導体記憶装置

発明者： 黒田 謙一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-166312
公開番号（公開出願番号）：特開平7-073682
出願日： 1993年06月12日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 FRAM等の効果的な強制リフレッシュ方法を提供し、そのアクセス効率を高める。また、強制リフレッシュ実施中における電源切断による待避データの消失を防止し、FRAM等の信頼性を高める。【構成】 強誘電体キャパシタを記憶素子とするFRAM等に、各ワード線又はプレート線に対応して設けられその選択回数を計数するためのアクセスカウンタDC及びSCと、ワード線又はプレート線の選択時、対応するアクセスカウンタの計数値を更新しかつその値が所定値に達したことを識別するアクセスカウンタ制御回路CCとを設け、強制リフレッシュを、各ワード線又はプレート線に結合される所定数の強誘電体キャパシタを単位として実施する。また、強制リフレッシュ時、対象となる強誘電体キャパシタの保持データを一時的に待避させるための待避メモリSMを、不揮発性の強誘電体キャパシタにより構成する。

請求項（抜粋）：

強誘電体キャパシタを記憶素子とするメモリアレイを備え、かつそのアクセス回数が所定値に達したとき強誘電体キャパシタに対する強制リフレッシュを実施することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 14/00 ,  G11C 11/22

引用特許：

審査官引用 (1件)

• メモリカード装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-200519   出願人：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社