特許
J-GLOBAL ID：200903067353984856
表面波デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-051440
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250966
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】安価で、広帯域な、スプリアスを抑圧した表面波デバイスを提供する。【構成】YカットX伝搬のLiNbO3 基板1上に、Al薄膜21とTa薄膜22からなるIDT2が形成されて構成されている。この構成により、ラブ波を励振することができる。そして、Taの膜厚やIDT2の電極指幅を選択的に設定することでスプリアスを抑圧することができる。
請求項（抜粋）：
YカットX伝搬のLiNbO3 基板上にIDTを形成し、ラブ波を利用してなる表面波デバイスにおいて、前記IDTがTa/Alの2層の薄膜からなることを特徴とする表面波デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03H 9/145 C
, H03H 9/25 C
