特許

J-GLOBAL ID：200903067358978099

半導体装置および半導体装置の層間膜形成方法

発明者： 高橋 庸夫 ,  生津 英夫 ,  下山 展弘 ,  峯岸 一茂
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150444
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343534
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【構成】 金属配線層形成がなされた半導体素子を下層に有する基板上に、次の配線層を形成するための層間絶縁膜を形成した後に、その層間絶縁膜の下層の金属配線と次に形成する金属配線との接続のために、下層の配線金属上の層間絶縁膜の所望の位置をエッチングした後アニールする。【効果】 絶縁膜からの水分を脱離させることで、素子の劣化を与えることのない層間膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

金属配線層形成がなされた半導体素子を下層に有する基板上に、次の配線層を形成するための層間絶縁膜を形成した後に、該層間絶縁膜の下層の金属配線と次に形成する金属配線との接続のために、下層の配線金属上の前記層間絶縁膜の所望の位置をエッチングした後にアニールすることを特徴とする半導体装置の層間膜形成方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-102853
  
• 特開昭58-115834
  
• 特開昭62-277750
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-206702   出願人：松下電子工業株式会社